Cat-CVD研究会

9:00～10:00　研究会　受付

10:00～10:05　開会挨拶
（実行委員長：岐阜大学　伊藤 貴司）

01　：　10:05～10:35
　ダイヤモンド電子舌センサ
　大曲　新矢
　産総研　九州センター

02　：　10:35～11:05
　低温プロセスにおけるラジカルの効果
　武山　眞弓
　北見工業大学

03　：　11:05～11:35
　5ー10 ミクロン/分 を超える高速製膜Cat-CVD法
　松村　英樹
　北陸先端科学技術大学院大学

11:35～13:00　休憩

04　：　13:00～13:30
　(仮)Cat-CVDの化合物半導体デバイスへの応用
　奥　友希
　三菱電機株式会社

05　：　13:30～14:00
　(仮)加熱触媒により生成したラジカルを用いた表面改質
　和泉　亮
　九州工業大学

06　：　14:00～14:30
　ホットワイヤ酸素化、水素化によるデバイス性能の向上について
　清水　耕作
　日本大学

14:30～14:45　休憩

07　：　14:45～15:15
　原子状水素アニールによる表面改質
　部家　彰
　兵庫県立大学

08　：　15:15～15:45
　Cat-CVDによるペロブスカイト太陽電池への窒化Si膜堆積
　大平　圭介
　北陸先端科学技術大学院大学

09　：　15:45～16:15
　(仮)電気二重層キャパシタ用カーボンナノウォール電極の開発
　伊藤　貴司
　岐阜大学

16:15～16:30　休憩

16:30～　一般講演・ポスター発表

　閉会挨拶
（実行委員長：岐阜大学　伊藤 貴司）

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