Cat-CVD研究会

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プログラム

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7月14日（金）

12:00～13:00　研究会　受付

13:00～13:05　開会挨拶

13:05～14:05　一般講演

O-01　：　13:05～13:25
加熱金属メッシュで生成した原子状水素による酸化グラフェンの低温還元
部家 彰^(*)，松尾 直人
兵庫県立大学

O-02　：　13:25～13:45
Cat-CVD による極薄 SiNx膜の形成とそのパッシベーション効果
宋 昊^(*)，大平 圭介
北陸先端科学技術大院大学

O-03　：　13:45～14:05
原子状水素によるポリマー表面へのメゾスコピック構造の形成と表面特性の評価
西山 聖^(1,*)，高木 誠司⁽¹⁾，山本 雅史⁽²⁾，佐藤 絵理子⁽¹⁾，緒方 寿幸⁽³⁾，堀邊 英夫⁽¹⁾
(1)大阪市立学院工研究科，(2)香川高専，(3)東京応化工業

14:05～14:15　休憩

14:15～14:35　一般講演

O-04　：　14:15～14:35
太陽電池作製実験用の新Cat-CVD装置の特徴
小川 浩二^(1,*)，竹内 幸雄⁽¹⁾，小山 晃一⁽²⁾，松村 英樹⁽²⁾
(1) VIC インターナショナル，(2)北陸先端科学技術大学院大学

14:35～15:15　招待講演

SP-1　：　14:35～15:15
大気圧低温プラズマを用いたZnO薄膜の作製
須崎 嘉文
香川大学

15:15～15:25　休憩

15:25～16:05　招待講演

SP-2　：　15:25～16:05
集積回路プロセスによる機能集積型MEMSマイクロセンサの開発
高尾 英邦
香川大学

16:05～16:45　一般講演

O-05　：　16:05～16:25
フラッシュランプアニールによるCat-CVD a-Si膜の結晶化への起点作製の効果
佐藤 大暉^(*)，大平 圭介
北陸先端科学技術大学院大学

O-06　：　16:25～16:45
A novel formation of low reflectivity sub-micron textures on solar cell crystalline silicon with various thicknesses down to 50 µm
Cong Thanh Nguyen^(*), Koichi Koyama, Huynh Thi Cam Tu, Shigeki Terashima, Hideki Matsumura
Japan Advanced Institute of Science and Technology

16:45～17:00　休憩

17:00～17:50　ショートプレゼン（ポスター発表者）

（ポスターセッション会場へ移動）

18:00～20:00　ポスターセッション

P-01
酸化物半導体の原子状水素供給および酸素プラズマ処理を用いたギャップ内準位の評価
柳澤 利樹^(*) , 清水 耕作
日本大学

P-02
c-Si界面の水素クリーニングにおけるホットワイヤー温度依存性
染谷 優太^(*) , 清水 耕作
日本大学

P-03
熱フィラメントCVD法で作製された導電性CVDダイヤモンド膜の接触電気抵抗
坪田 敏樹^(*)，戸上 敦史
九州工業大学

P-04
Cat-CVD法により作製したSiNx/c-Si構造の室温放置による少数キャリア寿命の改善
宮浦 純一郎^(*) ，大平 圭介
北陸先端科学技術大学院大学

P-05
Cat-CVD法を用いて作製したSiヘテロ接合太陽電池に対するスパッタダメージの影響
小西 武雄^(*)，大平 圭介
北陸先端科学技術大学院大学

P-06
Cat-CVD a-Si/c-Siヘテロ接合界面のイオン注入によるHの影響
小山 晃一^(*) ，大平 圭介 ，松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学

P-07
Cat-CVD SiNx膜による微細テクスチャー結晶Si表面のパッシベーション
劉 静^(1,*)，赤木 成明⁽²⁾，山本 裕三⁽²⁾，大平 圭介⁽¹⁾
(1)北陸先端科学技術大学院大学，(2) 攝津製油

P-08
Excellent passivation of n-type crystalline Si by SiNx double layers with high chemical resistivity
Huynh Thi Cam Tu^(*), Koichi Koyama, Cong Thanh Nguyen, Shigeki Terashima, Takeo Konishi, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura
Japan Advanced Institute of Science and Technology

P-09
二層レジストを用いた酸素プラズマによるドライ現像
高垣 信巨^{(1, *)}, 長岡 史郎⁽¹⁾, 辻 琢人⁽³⁾, 山本 雅史⁽²⁾,ロバート ジョンストン⁽¹⁾, 堀邊 英夫⁽⁴⁾, 清水 共⁽¹⁾
(1)香川高専（詫間），(2)香川高専（高松），(3)鈴鹿高専，(4)大阪市立大学

P-10
二層フォトレジストのドライ現像と不純物の選択熱拡散プロセスへの応用
西園寺 嶺^{(1, *)}, 長岡 史郎⁽¹⁾, 辻 琢人⁽³⁾, 山本 雅史⁽²⁾,ロバート ジョンストン⁽¹⁾, 堀邊 英夫⁽⁴⁾, 清水 共⁽¹⁾
(1)香川高専（詫間），(2)香川高専（高松），(3)鈴鹿高専，(4)大阪市立大学

P-11
水素ラジカルを用いたレジスト除去における除去速度の圧力依存性
城井 智弘^(1,*)，山本 雅史⁽¹⁾，長岡 史郎⁽²⁾，梅本 宏信⁽³⁾，大平 圭介⁽⁴⁾，西山 聖⁽⁵⁾，堀邊 英夫 ⁽⁵⁾
(1)香川高専（高松），(2)香川高専（詫間），(3)静岡大学，(4)北陸先端科学技術大学院大学，(5)大阪市立大学

P-12
水素ラジカルを用いたレジスト除去における酸素添加効果
滝 智洋^(1,*)，山本 雅史⁽¹⁾，長岡 史郎⁽²⁾，梅本 宏信⁽³⁾，大平 圭介⁽⁴⁾，西山 聖⁽⁵⁾，堀邊 英夫⁽⁵⁾
(1)香川高専（高松），(2)香川高専（詫間），(3)静岡大学，(4)北陸先端科学技術大学院大学，(5)大阪市立大学

7月15日（土）

9:00～9:40　招待講演

SP-3　：　9:00～9:40
熱フィラメントCVD法によるパワーデバイス用ダイヤモンド結晶成長
大曲 新矢
産業技術総合研究所

9:40～9:50　休憩

9:50～10:50　一般講演

O-07　：　9:50～10:10
HWCVD法により堆積したSiCN膜のCu拡散バリア膜としての性能評価
筒井 逸仁^(*)，林田 祥吾 ，片宗 優貴 ，和泉 亮
九州工業大学

O-08　：　10:10～10:30
高温プロセスにおける有機シリコン化合物原料を用いたSiCN膜の合成と組成制御
片宗 優貴^(*)，森 寛人，和泉 亮
九州工業大学

O-09　：　10:30～10:50
B Cat-dopingによるa-Si膜およびa-Si／ITO界面の電気特性の変化
秋山 勝哉^(*)，大平 圭介
北陸先端科学技術大学院大学

10:50～11:00　休憩

11:00～11:20　一般講演

O-10　：　11:00～11:20
ホットワイヤーCVD 法によるカーボンナノウォールの大面積作製
伊藤貴司(*)、祖父江弘志、林一成、花田駿亮、山本大貴、野々村修一
岐阜大学

11:20～12:00　招待講演

SP-4　：　11:20～12:00
ラジカル発生とその反応
梅本 宏信
静岡大学

12:00～12:10　閉会挨拶

（12:30～　実行委員会）