Cat-CVD研究会

O-01　：　13:35～14:15
Cat-CVD 技術の最新動向（招待講演）
松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学

O-02　：　14:15～14:35
H₂O/H₂分解種を用いた直接酸化におけるSi基板の結晶面方位依存性
福島 和哉*、田原 慎一、片宗 優貴、和泉 亮
九州工業大学

O-03　：　14:35～14:55
Cat-CVDチャンバーでのNH₃系ラジカルがSiNx膜のパッシベーション性能に及ぼす影響
住友 誠明(1,*)、大平 圭介(1)
(1) 北陸先端科学技術大学院大学

O-04　：　15:05～15:45
ラジカル高密度化への道（招待講演）
梅本 宏信
静岡大学

O-05　：　15:45～16:05
Hot-Wireを用いた新規原子状水素照射装置の紹介
神戸 正雄(1,*)、甲田 優太(1)、田村 弘毅(2)、大箭 哲史(2)、佐藤 絵理子(1)、堀邊 英夫(1)
(1)大阪市大院工、(2)東京応化工業

O-06　：　16:05～16:25
水素ラジカルを用いた KrF/ArF レジスト用ベース樹脂の除去度における酸素添加効果
山本 雅史(1,*)，城井 智弘(1)，長岡 史郎(2)、大平 圭介(3)、梅本 宏信(4, 5)、堀邊 英夫(5)
(1) 香川高等専門学校（高松キャンパス）、(2) 香川高等専門学校（詫間キャンパス）、(3) 北陸先端科学技術大学院大学、(4) 静岡大学、(5) 大阪市立大学

O-07　：　16:35～17:15
Hot-Filamentを用いたガスソースMBEによるグラフェン成長（招待講演）
前田 文彦(1,3)、日比野 浩樹(2,3*)
(1) 福岡工業大学工学部、(2) 関西学院大学理工学部、(3) NTT

O-08　：　17:15～17:55
生物酵素・ヒドロゲナーゼにおける水素合成・活性化触媒反応機構の構造化学（招待講演）
樋口 芳樹
兵庫県立大学大学院生命理学研究科

P-01
シリコン太陽電池の正孔選択層応用へ向けたHWCVDによる酸化タングステンの形成
陳 詩源*、白取 優大、宮島 晋介
東京工業大学

P-02
X 線反射率法を用いたSiOCN膜の評価
松本 真(1*)、筒井 逸仁(1)、片宗 優貴(1)、和泉 亮(1)
(1)九州工業大学

P-03
SiCN膜の表面組成および濡れ性の評価
森下 文広(1,*)、片宗 優貴(1)、和泉 亮(1)
(1)九州工業大学

P-04
Control of Solution Wettability on Textured c-Si Prior to Cat-CVD of SiN_x/a-Si for Obtaining Extremely Low Surface Recombination Velocity of 0.6 cm/s
Cong Thanh Nguyen*, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura
Japan Advanced Institute of Science and Technology

P-05
nc-3C-SiC:H/c-Siヘテロ接合素子特性に与えるバッファ層挿入の影響
亀山 航太(*)，田畑 彰守
名古屋大学大学院工学研究科

P-06
熱フィラメントCVD法によるダイヤモンド(111)面の結晶成長とリンドーピング
片宗 優貴(1,*)、森 大地(1)、有川 大輔(1)、和泉 亮(1)
(1) 九州工業大学

P-07
ペンタセンとNi担持Wメッシュを用いたナノグラフェン合成
部家 彰(1,*)、山崎 良(2)、松尾 直人
(1) 兵庫県立大学、(2) トーカロ

P-08
n 型a-SiへのBのCatドーピングによるp型a-Si作製の試み
鶴飼 太陽 (1,*)、大平 圭介(1)
(1) 北陸先端大科学技術大学院大学

P-09
原子状水素による炭素汚染膜のオンサイト洗浄装置の開発
新部 正人(1,*)、徳島 高(1,2)、崔 藝涛(1,2)、堀川 裕加(3)、吉田 啓晃(4)
(1) 兵庫県大学高度産業科学技術研究所、(2) (株)三佳ハイテクノロジー、(3) 山口大学院創成科学研究科、(4) 広島大学院理学研究科

P-10
Hot-wire法で生成した原子状水素によるネガ型レジストの還元分解
竹森 友紀(1,*)、神戸 正雄(1)、甲田 優太(1)、山本 雅史(2)、田村 弘毅(3)、大箭 哲史(3)、佐藤 絵理子(1)、堀邊 英夫(1)
(1) 大阪市大院工、(2) 香川高等専門学校、(3) 東京応化工業

P-11
原子状水素アニールを用いたポリテトラフルオロエチレンの表面改質
橋野 開(1,*)、大貫 智史(1)、部家 彰(1)、住友 弘二(1)
(1) 兵庫県立大学

P-12
酸素雰囲気中で作製したAlO_x/GeO_x/a-Geスタック構造に対する原子状水素アニールの効果
大貫 智史(1,*)、部家 彰(1)、松尾 直人(1)、住友 弘二(1)
(1) 兵庫県立大学

P-13
原子状水素、酸素プラズマ処理による酸化物半導体のギャップ内準位の変化
鈴木 貴祐(1*) , 清水 耕作(1)
(1) 日大生産工

P-14
金属援用終端法によるダイヤモンド中貫通転位の低減と縦型SBDの特性改善
小林 篤史(1,2*)、大曲 新矢(1)、梅沢 仁(1)、齊藤 丈靖(2)、竹内 大輔(1)
(1) 国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター、(2) 大阪府立大学大学院工学研究科化学工学分野

O-09　：　9:15～9:55
放射光軟Ⅹ線吸収分光法を用いた炭素材料のキャラクタリゼーション（招待講演）
村松 康司
兵庫県立大学工学研究科

O-10　：　9:55～10:15
熱フィラメントCVD法によるダイヤモンド薄膜ホモエピタキシャル成長と 金属不純物導入効果
大曲 新矢
国立研究開発法人 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター

O-11　：　10:15～10:35
酸素プラズマ処理したカーボンナノウォールの濡れ性とウォール間への溶液の侵入
伊藤 貴司(*)、田邉 耕生、家田 祐輔、鈴木 友康、祖父江 弘志、山田 繁、野々村修一
岐阜大学 工学部 電気電子・情報工学科

O-12　：　10:45～11:25
Ge MOS界面の欠陥制御技術（招待講演）
高木 信一(1,*)、柯 夢南(1)、張 睿(1)、トープラサートポン・カシディット(1)、竹中 充(1)
(1) 東京大学大学院工学系研究科 電気系工学専攻

O-13　：　11:25～11:45
In-Sn-Zn-O薄膜のHW水素化とポストアニール処理によるTFT信頼性向上評価
清水 耕作
日本大学大学院 生産工学研究科